- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت ME15N10-G
دیتاشیت ME15N10-G
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | ME15N10-G |
---|---|
حجم فایل | 76.056 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 5 |
دانلود دیتاشیت ME15N10-G |
ME15N10-G Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: MATSUKI ME15N10-G
- Power Dissipation (Pd): 34.7W
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 14.7A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,8A
- Package: TO-252-2(DPAK)
- Manufacturer: MATSUKI